DRAMeXchange сообщил, что контрактная цена DRAM в августе этого года была такой же, как и в предыдущем месяце, а средняя цена DDR4 8GB составила 25,5 долларов. Хотя цена сентябрьского контракта все еще обсуждается, она, вероятно, останется неизменной. В преддверии 2020 года из-за ориентации на прибыль трех основных производителей DRAM оценка капитальных затрат будет снижена как минимум на 10% по сравнению с этим годом. Годовой рост производства в следующем году также является самым низким за последние 10 лет, всего 12,5%, что создает определенную основу для восстановления цен.
Со стороны рынка, с одобрения правительства Японии на экспорт ключевых полупроводниковых сырьевых материалов, проблема торговли между Японией и Южной Кореей началась в июле, но в течение этого периода клиенты OEM пострадали от неопределенных факторов и ожидаемых психологических факторов, которые вызвали запасы запасов будут расти. Уровень запаса воды постепенно снижается, приближаясь к нормальному уровню воды.
Кроме того, третий сезон совпадает с традиционным пиковым сезоном, и Соединенные Штаты начнут вводить тарифы на электронные продукты, экспортируемые на некоторые континенты в начале декабря, что также оказывает эффект ранней поставки. Спрос выше ожидаемого, что позволяет производителям DRAM договариваться о ценах. Отношение было более устойчивым, и общая цена в третьем квартале полностью изменила первоначальное снижение и осталась без изменений.
Джибанг также проанализировал, что план расширения трех основных заводов DRAM стал консервативным. Например, завод Samsung Pyeongtaek II близится к завершению, но он не вступит в коммерческую передачу до второго квартала 2020 года, а недавно добавленное оборудование только поддерживает переход к будущему нано-процессу 1Z, общее количество пленки будет быть примерно таким же, как в этом году.
Последний завод SK Hynix M16 будет завершен во второй половине следующего года. Самое быстрое увеличение производственных мощностей произойдет до 2021 года, а старый завод M10 будет постепенно преобразован в OEM. Предполагается, что общий объем производства DRAM не будет увеличиваться или уменьшаться в следующем году.
Завод F-building, добавленный Micron в этом году на заводе в Хиросиме, также призван поддержать переход на нанопроцесс 1Z. Общая мощность завода в Хиросиме не увеличилась. Новый завод A3, строящийся компанией Micron Storage на Тайване, также будет поддерживать процесс 1Znm на начальном этапе и увеличить производство в краткосрочной перспективе. Однако возможности невелики, Джибанг считает, что база завода A3 не мала, и в будущем все еще существует возможность новых мощностей.
Что касается земельных фабрик, то в настоящее время существует две производственные базы DRAM. Более крупный Хэфэй Чансинь был запущен в производство. Исходные продукты в основном DDR4 8Gb. В первой половине следующего года появятся продукты LPDDR4 8Gb, которые продолжат поступать в массовое производство, но, как ожидается, поступят. В 2021 году производственные мощности будут иметь возможность достичь 100 000 и более полной загрузки.
Хотя запрет Фуцзянь Цзиньхуа был затронут американским запретом, инженеры на заводе не могли обслуживать американское оборудование, но внутренние органы все еще пытались настроить параметры для своей собственной оптимизации. Ожидается, что фильм будет в пределах 10 000 единиц в следующем году.
В целом, по оценкам Jibang, в 2020 году объем инвестиций в DRAM на материке составит менее 3% мировых инвестиций, а результаты независимого производства останутся ограниченными. В будущем индустрии материковой памяти по-прежнему необходимо преодолевать проблемы производительности, машиностроения и IP, и следует продолжать следить за точными сроками воздействия на общее предложение отрасли DRAM.