Старший вице-президент ASML и руководитель по управлению продуктами High-NA EUV Грит Штормс недавно заявил, что литографические системы High-NA EUV быстро продвигаются к массовому производству, или HVM. Поскольку объемы экспозиции клиентов растут по всему миру, ASML оптимизировала технологии для повышения производительности парка до уровня, готового к производству, одновременно устанавливая выгодный план масштабирования для полупроводниковой отрасли на следующую декаду.
Глобальные экспозиции кремниевых пластин превысили 1,35 миллиона, поскольку системы демонстрируют производительность HVM
Штормс сообщил, что кумулятивные экспозиции пластин по всему глобальному парку систем High-NA EUV, или EXE, превысили 1,35 миллиона, что ускоряет обучение процессам и готовность к HVM. Квалифицированная система EXE:5200B достигла производительности 135 пластин в час во время приемочного тестирования, демонстрируя продуктивность, необходимую для массового производства. В настоящее время десять систем High-NA EUV установлены на четырех местах клиентов и работают по всему миру, в то время как три дополнительные системы отправляются или устанавливаются.
Системы также продемонстрировали высокую точность наложения между машинами и производительность фокуса. Доступность в глобальном парке High-NA EUV увеличилась до 84% и ожидается, что к концу 2026 года она достигнет 90%, с долгосрочной целью в 93%. Основываясь на опыте своей уже устоявшейся платформы NXE, ASML улучшила диагностические возможности и внедрила меры по предотвращению повторяющихся сбоев, увеличив стабильность работы системы.
High-NA EUV вступает в производство логических микросхем и снижает затраты на передовые процессы благодаря одношаблонной технологии
Штормс также сообщил, что High-NA EUV достигла важного рубежа с первым использованием в массовом производстве логических микросхем. Для масштабирования памяти изображение с высоким разрешением может поддерживать дальнейшее развитие до пяти будущих узлов процессов 2D DRAM.
По сравнению с 0,33-NA EUV, который может потребовать сложные и дорогостоящие процессы множественного шаблонирования, более высокое разрешение систем 0,55-NA позволяет производить больше слоев при использовании одношаблонной технологии. Замена множественного шаблонирования на одноэкспозиционное может снизить сложность процесса, уровень дефектов, время цикла и общие затраты на производство, сохраняя как производительность процесса, так и экономическую целесообразность при меньших шагах.
ASML также разработала инженерные решения для технических проблем, связанных с массовым производством. Платформа EXE использует алгоритмы выравнивания кристаллов, коррекцию фокуса и дизайн зажима для пластин диаметром 148 мм, чтобы обеспечить ожидаемую границу глубины фокуса более 30 нм при сохранении производительности контроля, сравнимой с платформой NXE.
Чтобы преодолеть ограничение по экспозиции в половинном поле для High-NA EUV, ASML использует зону компенсации стыковки шириной 175 мкм, разработанную для массового производства, что обеспечивает большую гибкость в дизайне. В приложениях DRAM стыковка требуется только для дизайнов чипов с определенными конфигурациями колонн с нечетным количеством, в то время как четные конфигурации не требуют стыковки.
High-NA EUV также создает новые варианты дизайна для 2D макетов чипов. Более высокий контраст изображения позволяет паттернизировать меньшие шаги при одной экспозиции, улучшая маршрутизацию соединений и потенциально снижая общее количество металлических слоев, необходимых для производства. Например, одношаблонный 2D металлический макет может заменить более сложную структуру, которая ранее требовала двух металлических слоев и одного слоя vias, увеличивая плотность логических ячеек и повышая эффективность дизайна.
Целевой выход на уровне 180 пластин в час на стабильной 10-летней платформе
Смотрев вперед, ASML планирует продолжать увеличивать производительность своей платформы EXE по мере перехода от EXE:5200B к следующему поколению EXE:5400E. Повышая мощность источника EUV с 600 Вт до 1000 Вт, ускоряя обработку пластин и масок, а также вводя решение PEP, ASML планирует увеличить тестовую производительность до 180 пластин в час к 2030 году.
Штормс добавил, что ASML разработала всеобъемлющую дорожную карту для своей технологии 0,55-NA EUV, с ожидаемой стабильной архитектурой платформы, которая поддержит более десяти лет разработки. Объединив более высокое разрешение, возможность одношаблонного дизайна, повышенную производительность и большую гибкость в дизайне, платформа позиционируется для поддержки долгосрочных планов масштабирования передних узлов полупроводниковой отрасли.