27 июля Samsung Electronics выпустила официальное интервью с Ку Чжахёном, руководителем технологического развития бизнеса полупроводников компании. В интервью Samsung впервые изложила архитектуру процесса, ожидаемые улучшения производительности и целевые приложения своей памяти нового поколения HBM5 с высокой пропускной способностью, предлагая более ясные рекомендации для дорожной карты HBM в отрасли.
Ку сказал, что HBM5 ожидается более чем на 50% быстрее, чем в настоящее время серийно производимое поколение HBM4E. Основная база чипа будет производиться с использованием 2-нм процесса транзисторов с охватом всей площади и будет сочетаться с далее усовершенствованной, высокоинтегрированной технологией через кремниевые vias. Дизайн предназначен для достижения прироста производительности во всех областях: архитектуры транзисторов, технологии обработки ваферов и стеклянных соединений.
Samsung будет опираться на опыт процесса и возможности массового производства, которые она приобрела при производстве базовых чипов HBM4 на своем 4-нм узле. Вводя усовершенствованный 2-нм процесс в HBM5 заблаговременно, компания стремится укрепить свою технологическую позицию на рынке высококачественной памяти для ИИ.
В плане расширения рынка Samsung планирует использовать HBM5 в качестве основного продукта для расширения охвата клиентов в нескольких рынках. В дополнение к поддержке крупных моделей ИИ и приложений высокопроизводительных вычислений, ожидается, что продукт распространится на мобильные устройства, автомобильную электронику, гуманоидных роботов и другие новые сегменты. Через свои продукты с высокой пропускной способностью Samsung стремится удовлетворить вычислительные потребности в различных категориях устройств и дальше расширить свою экосистему полупроводников.
Интервью отражает текущие планы Samsung по разработке технологий. Компания не раскрыла детали по наращиванию выхода для своего 2-нм GAA процесса, проблемы массового производства высокоинтегрированного TSV в стеке, или график образцов и массового производства HBM5.
В отрасли широко ожидают, что HBM5 станет стандартным решением для памяти высококачественных ускорителей ИИ к 2028 году. Дополнительные детали о характеристиках продукта, квалификации клиентов и производственной мощности ожидаются к выпуску на будущих технологических мероприятиях Samsung или брифингах по доходам.