Микрон Технологии MT41K512M8RH-107:E — это высокопроизводительный интегральный микросхема DDR3L SDRAM, предназначенная для передовых вычислительных систем и приложений с высоким объемом памяти. Этот 4 Гбит модуль памяти обеспечивает надежную работу с параллельным интерфейсом и исключительной гибкостью в использовании.
Разработанный для требовательных технических условий, прибор работает в широком диапазоне температур от 0°C до 95°C, что делает его идеальным для промышленных, автомобильных и аэрокосмических приложений. Микросхема использует сложную упаковку 78-FBGA (9x10,5), обеспечивающую компактную и эффективную интеграцию на плате с помощью технологии поверхностного монтажа.
Ключевые технические характеристики включают быстрое время доступа 20 наносекунд, поддержку высокоскоростной обработки данных при тактовой частоте 933 МГц. Память организована как 512M x 8, что предоставляет гибкие возможности конфигурации памяти. Работает при точном диапазоне питающего напряжения от 1,283 В до 1,45 В, обеспечивая стабильное и энергоэффективное потребление энергии.
Технология DDR3L в использовании обеспечивает улучшенную энергоэффективность и производительность по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Внутренний тип памяти — статическая (volatile), что гарантирует быструю обработку данных и функцию сброса, делая её идеальной для приложений, требующих быстрого обмена информацией и временного хранения данных.
Основные преимущества включают низкое потребление энергии, высокую скорость передачи данных, широкую температурную стабильность и компактный форм-фактор. Этот компонент особенно подходит для встроенных систем, телекоммуникационной инфраструктуры, сетевого оборудования и современных вычислительных платформ.
На рынке существуют аналоги и альтернативные модели, включая DDR3L SDRAM от таких производителей, как Samsung, Hynix, а также другие продукты Micron с аналогичными характеристиками и показателями.
Соответствие стандартам RoHS дополнительно подтверждает экологическую и техническую надежность компонента, что делает его предпочтительным выбором в современном электронном проектировании.
MT41K512M8RH-107E Ключевые технические характеристики
Объем памяти 4 Гбит, Время доступа 20 нс
MT41K512M8RH-107E Размер упаковки
Тип 78-FBGA (9x10,5), код корпуса 138323, Конфигурация контактов 78-контактный BGA с тонким межпроводным шагом, тепловые характеристики: диапазон рабочей температуры 0°C ~ 95°C, Электрические параметры: напряжение питания 1.283V ~ 1.45V
MT41K512M8RH-107E Применение
Данный продукт предназначен для высокопроизводительных вычислительных систем и приложений с интенсивным использованием памяти, таких как серверные решения, современные графические карты, сетевое оборудование и встроенные системы, где требуется технология DDR3L SDRAM с параллельным интерфейсом памяти.
MT41K512M8RH-107E Особенности
Модуль DDR3L SDRAM MT41K512M8RH-107:E объемом 4 Гбит с параллельным интерфейсом, характеризуется низким энергопотреблением и высокой скоростью передачи данных при тактовой частоте 933 МГц. Оснащён передовыми технологиями коррекции ошибок и обеспечения целостности сигнала, что обеспечивает стабильную работу при различных температурных и электрических нагрузках. Корпус с 78 шариками BGA с тонким межпроводным шагом обеспечивает надёжное монтаж и отличное теплоотведение. Организация памяти 512 МБ x 8 способствует эффективной обработке данных и быстрому доступу. Работает при напряжении 1.283V - 1.45V, что снижает энергопотребление при сохранении высокой пропускной способности. Время доступа 20 нс гарантирует быструю реакцию памяти, что важно для приложений с высокими требованиями к скорости. Соответствует требованиям RoHS, что подтверждает экологическую безопасность производства.
MT41K512M8RH-107E Особенности качества и безопасности
Этот модуль DDR3L SDRAM соответствует строгим стандартам качества, проходит проверку на соответствие RoHS, минимизируя содержание опасных веществ. Надёжная упаковка и тонкий BGA-корпус обеспечивают механическую прочность и термическую стабильность, предотвращая выход из строя из-за перегрева и физических нагрузок. Модуль подвергается комплексному тестированию по электрическим характеристикам, точности таймингов и прочности монтажа для гарантии безопасной и стабильной работы в различных условиях эксплуатации.
MT41K512M8RH-107E Совместимость
Модуль MT41K512M8RH-107:E совместим с контроллерами и системами, поддерживающими DDR3L с напряжением 1.35V. Его параллельный интерфейс и стандартная площадка на 78 шариков BGA позволяют интегрировать его в широкий спектр современных вычислительных платформ, требующих память объемом 4 Гбит при низком энергопотреблении. Поддерживает частоты до 933 МГц и стандартные промышленные диапазоны температур, что делает его подходящим для встроенных и коммерческих решений.
MT41K512M8RH-107E Распечатка данных (PDF)
Для получения наиболее точных и полных технических данных рекомендуется скачать официальный даташит на модуль MT41K512M8RH-107:E, доступный на нашем сайте. В нем содержатся подробные спецификации, диаграммы таймингов, электрические характеристики, детали корпуса и рекомендации по применению — всё, что необходимо для проектирования и сертификации. Получение документа через нашу платформу гарантирует наличие актуальной и надежной информации для ваших инженерных решений.
Качественный дистрибьютор
IC-Components — ваш надежный поставщик продукции Micron Technology, предлагающий профессиональную поддержку и конкурентоспособные цены на модуль MT41K512M8RH-107:E. Мы гарантируем точность наличия, быструю доставку и оригинальность продукции. Закажите у нас и получите качественный сервис, индивидуальные условия и техническую поддержку для вашего успеха.
