Выберите страну или регион.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїнаO'zbekગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaதமிழ் மொழி

Завершить разработку 3-нм технологии в 2020 году. Каковы причины убийства Samsung в эпоху 5G?

2019 год - год, когда технология 5G хорошо известна и с ней связываются потребители. В начале этого года Samsung выпустила первую коммерческую версию Galaxy S105G для мобильных телефонов 5G, которая первой предоставит потребителям терминальный продукт, способный почувствовать сеть 5G.

Почему Samsung может предоставлять продукты 5G так быстро, что связано с усилиями, предпринятыми в области исследований, разработок и модернизации технологии 5G. Недавно на технологическом форуме Samsung 5G компания Jiwei поделилась технической информацией о Samsung в эпоху 5G. Давайте посмотрим, что Samsung обновил в 5G.

Саморазвитый чип 5G и 3nm появятся в следующем году

В начале сентября 2019 года Samsung Electronics выпустила свой первый интегрированный 5G чип Exynos980. Чип использует 8-нм процесс для объединения модема связи 5G с высокопроизводительной мобильной точкой доступа (ApplicationProcessor). В прошлом совещании SFF «Samsung Foundry Forum» Samsung вновь объявила о прогрессе в технологии нового поколения, микро-сеть узнала, что процесс 3nm будет завершен в следующем году.

По словам технических специалистов Samsung 5G, на 3-нм узле Samsung перейдет с транзисторов FinFET на транзисторы с объемным затвором GAA. В процессе 3 нм используются транзисторы GAA первого поколения, которые официально называются процессами 3GAE. На основе новой транзисторной структуры GAA компания Samsung создала MBCFET (Multi-Bridge-ChannelFET) с использованием устройств с наночипами, которые могут значительно повысить производительность транзисторов и заменить технологию транзисторов FinFET.

Кроме того, технология MBCFET совместима с существующими технологиями и оборудованием производственного процесса FinFET для ускорения разработки и производства. По сравнению с текущим 7-нм процессом, 3-нм процесс уменьшает площадь ядра на 45 процентов, энергопотребление на 50 процентов и производительность на 35 процентов. Что касается прогресса в процессе, Samsung уже произвела 7-нм чипы на заводе S3Line в Хвасоне, Южная Корея, в апреле этого года. Ожидается, что в этом году завершится разработка 4-нм техпроцесса, а в 2020 году ожидается 3-х мерное развитие.

Комплексное решение 5G

В эпоху 5G Samsung является первым эшелоном с точки зрения технологий и продуктов. Конкретные преимущества отражены в следующих пунктах:

Во-первых, с точки зрения патентов, патенты Samsung 5G в изобилии; во-вторых, в рабочей группе 3GPP Samsung имеет в общей сложности 12 президентов или заместителей председателя; в-третьих, в сфере ставок, исследований и разработок технологии миллиметровых волн компания Samsung проверила. Покрытие миллиметровых волн покрывает расстояние более 1 км от линии прямой видимости, а покрытие вне прямой видимости достигает нескольких сотен метров. В то же время его можно использовать в городской густонаселенной зоне и на существующей базовой станции 4G.

В настоящее время Samsung имеет три чипа: модем, чип питания и радиочастотный чип, и все они готовы к массовому производству; Сетевое оборудование включает в себя базовую станцию ​​5G и маршрутизатор 5G (внутри и снаружи). Комплексные услуги Samsung на рынке 5G включают в себя РЧ-чипы сквозного сетевого оборудования, чипы терминалов, терминалы, беспроводные сети, базовые сети и программное обеспечение для планирования сетей.

Я верю, что в будущей эре 5G Samsung готова позволить нам с нетерпением ждать появления новых технологий.